硅材料硅產品清洗超純水設備

　　設備參數：
　　名稱：硅材料硅產品清洗超純水設備
　　型號：zl-gcp001
　　進水口徑：40（mm）
　　產水量：3T/H
　　工作壓力：290（psi）
　　功率：5.5（w）
　　電導率：0.055us/cm
　　脫鹽率：99.9%（%）
　　概述：
　　微量(liang)(liang)污染(ran)也(ye)會(hui)(hui)導(dao)致(zhi)器(qi)件(jian)失效。清洗(xi)的(de)(de)(de)目(mu)的(de)(de)(de)在(zai)于清除表(biao)面(mian)污染(ran)雜質，包(bao)(bao)括(kuo)有(you)機(ji)(ji)物(wu)和(he)無機(ji)(ji)物(wu)。這些雜質有(you)的(de)(de)(de)以(yi)原子(zi)狀(zhuang)態或離子(zi)狀(zhuang)態，有(you)的(de)(de)(de)以(yi)薄膜(mo)形(xing)式(shi)(shi)或顆粒(li)形(xing)式(shi)(shi)存在(zai)于硅(gui)(gui)片(pian)(pian)(pian)表(biao)面(mian)。有(you)機(ji)(ji)污染(ran)包(bao)(bao)括(kuo)光刻(ke)膠、有(you)機(ji)(ji)溶劑(ji)殘留物(wu)、合(he)成蠟和(he)人(ren)接觸器(qi)件(jian)、工(gong)具、器(qi)皿帶來的(de)(de)(de)油(you)脂或纖(xian)維(wei)。無機(ji)(ji)污染(ran)包(bao)(bao)括(kuo)重金(jin)屬(shu)金(jin)、銅、鐵、鉻等(deng)(deng)(deng)，嚴(yan)重影響少(shao)(shao)數載流(liu)子(zi)壽命和(he)表(biao)面(mian)電(dian)導(dao)；堿(jian)金(jin)屬(shu)如(ru)鈉等(deng)(deng)(deng)，引起嚴(yan)重漏電(dian)；顆粒(li)污染(ran)包(bao)(bao)括(kuo)硅(gui)(gui)渣(zha)、塵埃、細(xi)菌(jun)、微生物(wu)、有(you)機(ji)(ji)膠體纖(xian)維(wei)等(deng)(deng)(deng)，會(hui)(hui)導(dao)致(zhi)各種(zhong)缺陷。所以(yi)單(dan)晶(jing)硅(gui)(gui)/多晶(jing)硅(gui)(gui)/硅(gui)(gui)材料/太陽能電(dian)池硅(gui)(gui)片(pian)(pian)(pian)、半(ban)(ban)導(dao)體器(qi)件(jian)生產中(zhong)(zhong)必須(xu)用(yong)(yong)超(chao)(chao)純(chun)(chun)水(shui)，目(mu)前制取超(chao)(chao)純(chun)(chun)水(shui)工(gong)藝可分為(wei)反(fan)滲透+混(hun)床超(chao)(chao)純(chun)(chun)水(shui)設(she)備(bei)，二(er)是反(fan)滲透+EDI超(chao)(chao)純(chun)(chun)水(shui)設(she)備(bei)，這是兩種(zhong)制取超(chao)(chao)純(chun)(chun)水(shui)設(she)備(bei)常用(yong)(yong)的(de)(de)(de)工(gong)藝。超(chao)(chao)純(chun)(chun)水(shui)主(zhu)要(yao)用(yong)(yong)于清洗(xi)硅(gui)(gui)片(pian)(pian)(pian)，另有(you)少(shao)(shao)量(liang)(liang)用(yong)(yong)于藥液(ye)配制，硅(gui)(gui)片(pian)(pian)(pian)氧化(hua)(hua)的(de)(de)(de)水(shui)汽源，部(bu)分設(she)備(bei)的(de)(de)(de)冷卻水(shui)，配制電(dian)鍍(du)液(ye)等(deng)(deng)(deng)。水(shui)中(zhong)(zhong)的(de)(de)(de)堿(jian)金(jin)屬(shu)（K、Na等(deng)(deng)(deng)）會(hui)(hui)使(shi)絕緣膜(mo)耐壓不良，重金(jin)屬(shu)（Au、Ag、Cu等(deng)(deng)(deng)）會(hui)(hui)使(shi)PN結耐壓降低(di)，III族元素（B、Al、Ga等(deng)(deng)(deng)）會(hui)(hui)使(shi)N型半(ban)(ban)導(dao)體特(te)性惡(e)化(hua)(hua)，V族素（P、As、Sb等(deng)(deng)(deng)）會(hui)(hui)使(shi)P型半(ban)(ban)導(dao)體特(te)性惡(e)化(hua)(hua)，水(shui)中(zhong)(zhong)細(xi)菌(jun)高溫碳化(hua)(hua)后的(de)(de)(de)磷（約占灰分的(de)(de)(de)20%~50%）會(hui)(hui)使(shi)P型硅(gui)(gui)片(pian)(pian)(pian)上的(de)(de)(de)局(ju)部(bu)區域變(bian)化(hua)(hua)為(wei)N型硅(gui)(gui)而導(dao)致(zhi)器(qi)件(jian)性能變(bian)壞。水(shui)中(zhong)(zhong)的(de)(de)(de)顆粒(li)（包(bao)(bao)括(kuo)細(xi)菌(jun)）如(ru)吸附在(zai)硅(gui)(gui)片(pian)(pian)(pian)表(biao)面(mian)，就會(hui)(hui)引起電(dian)路短路或特(te)性變(bian)差(cha)。